Фотоэлектрический датчик SODQ35-0350P-SI4U2

Общие характеристики
Бренд: MSA
Тип: Диффузный
Тип света: Инфракрасный свет (850 нм)
Точность повторения: < 5%
Расстояние обнаружения: 30 … 350 мм (регулируемое)
Полный диапазон: 320 мм
Гистерезис: < 20%
Минимальный размер объекта: ⌀10 мм (непрозрачный)
Электрические характеристики
Рабочее напряжение: 12-24 В DC (± 10%)
Максимальный ток нагрузки: 100 мА
Потребляемый ток (без нагрузки): 15 мА
Остаточное напряжение: < 1,5 В

Выход
Тип выхода: Дискретный
Дискретный выход: PNP
Тип переключения: Light on / Dark on
Частота переключений: 700 Гц
Задержка отклика: <500 мкс
Защита от короткого замыкания: Есть
Защита от обратной полярности подключения: Есть
Защита от перегрузки: Есть

Механические характеристики
Тип корпуса: Кубический
Размер корпуса: Q35 (12 x 22 x 35,6 мм)
Материал корпуса: АБС-пластик
Тип подключения: 4-жильный кабель
Длина кабеля: 2 метра
Степень защиты: IP65
Средства индикации и управления
Регулировка чувствительности: Потенциометр

Условия окружающей среды
Температура хранения: -40 … +85 °C
Температура эксплуатации (мин.): +55 °C
Температура эксплуатации (макс.): -25 °C
Относительная влажность: 5 … 85 % (без конденсата)

Соответствие стандартам
Виброустойчивость: 10-55 Гц, двойная амплитуда 1,0 мм, по 30 минут по каждой из трёх осей
Ударопрочность: 300 м/с², 3 раза по каждой из трёх осей